【文/观察者网专栏作者 心智观察所】,
不久前，国家商务部、海关总署联合发布公告，决定对部分中重稀土相关物项实施出口管制，包括钐、钆、铽、镝、镥、钪、钇的合金、化合物、氧化物等相关物项出口，必须根据相关法规向商务部申请许可证。,
消息一出，相关物项的国际市场价格应声暴涨，专业人士甚至预期后续将会有500%乃至更大幅度的涨价。,
正如心智观察所第一时间进行的分析，此举将会对全球供应链产生战略性影响，尤其是对高度依赖这7种稀土材料的高性能磁体、光电材料及其下游国防军工、医疗设备等关键应用领域。,
许多人或许还没有意识到的是，此次出招，对光刻机产业制高点的角逐也将带来巨大影响。,
众所周知，EUV光刻机已然成为美国对华科技遏制的最关键抓手，一谈起EUV，就会有各种奇奇怪怪的失败主义论调横行于国内舆论场，以各种看似扎实的数据言之凿凿论证中国无望追赶。,
然而且不说新型举国体制正在EUV技术攻坚中凝聚起的力量，单从对手的需求看，在美国管辖长臂试图“锁死”中国光刻机发展上限的同时，美西方自身想要将光刻技术继续向前推进，同样极大受制于中国稀土材料供给。,
根据目前ASML发布的产品路线图，其现有EUV产品体系沿着数值孔径和工艺因子优化的路径，预计可迭代到2030年代初期的0.75NA HXE系列，此时就将到达现有技术体系的分辨率极限，2035年后，超越现有架构的“BEUV”（Beyond EUV）光刻机将取代其王者地位。,
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目前，海外已经相继铺开了BEUV关键技术研究，如去年底美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）就公开了可作为光刻机驱动激光的大孔径铥 (BAT) 激光器，并将牵头组建极端光刻与材料创新中心（ELMIC）。,
ELMIC是一项为期四年、耗资1200万美元的研究项目，将测试BAT激光器能否将EUV光源效率提高约10倍，有望催生下一代BEUV光刻系统，该项目成员还包括ASML首席EUV光源专家Michael Purvis。,
对于BEUV，目前还有多条光源技术路线正在被研究，包括中国已走在全球前沿的自由电子激光（FEL）、稳态微聚束（SSMB）加速器等，不过最新版IRDS光刻路线图中也坦言，替代方案的最大挑战是缺乏产业生态，因此“向公用事业规模光源架构的必要范式转变具有足够的颠覆性，需要就其开发和相关的生态系统/基础设施变革达成广泛共识”。,
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基于这一背景，业界对于开发短波长（6.X纳米）的激光等离子体光源给予了高度重视，有很大概率成为优选技术路线，原因不仅是其技术原理与当前EUV光刻机有较高继承性，且多层镜组成的反射式光学系统在6.X纳米波长下理论反射率可高达70%。推荐阅读：
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